三菱Q26UDEHCPU手册Q26UDEHCPU编程手册

输入输出点数：4096点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：124k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.075μS。
多重化用CPU(协同处理器装载)Q26UDEHCPU编程手册。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系，
一般来说，一个扫描的过程中，故障诊断时间，
通信时间，输入采样和输出刷新所占的时间较少，
执行的时间是占了大部分。
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管：在光电耦合器的输入端加上变化的电信号，
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号。
输入接口电路工作过程：当开关合上，二极管发光，
然后三极管在光的照射下导通，向内部电路输入信号Q26UDEHCPU编程手册。
当开关断开，二极管不发光，三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管：在光信号的照射下导通，导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器的线性工作区内，输出信号与输入信号有线性关系。
用户程序存储容量：是衡量可存储用户应用程序多少的指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字，
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数，
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。
Q系列的基本转换模块，A系列的增设基础装置连接适配器单元。
适用于：A5
处理速度：79nsQ26UDEHCPU编程手册。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。

变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修修饰扩展到文件寄存器的所有区域Q26UDEHCPU手册Q26UDEHCPU手册。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。